我所刘明研究员领导的下一代非挥发性半导体存储器研究小组，最近在阻变存储器（ReRAM）领域取得新的进展，题为“Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted metal ions”的研究论文被欧洲固态电子器件会议（ESSDER）录用，ESSDER是国际电子电气工程师协会（IEEE）旗下关于微纳电子学领域的最重要的会议之一。同时刘明研究员还被邀请担任该会议的学术委员会委员，这表明我所下一代非挥发存储器的研究工作再一次得到国际同行的认可。
在ReRAM的研究中，三室存储器小组把研究的注意力集中在材料组分简单、制造工艺与CMOS兼容的二元金属氧化物上，创新性地提出了采用掺杂的手段来改善二元金属氧化物的电阻转变特性，并取得的良好的实验结果。研究表明通过调节二元氧化物中的杂质类型和相关参量，可以人为的控制ReRAM的转变特性，为ReRAM的实用化提供了一条技术手段。同时，该研究组深入开展了掺杂的二元氧化物材料的阻变机理的研究，也取得了较好的研究成果。目前，该研究组已在IEEE Electron Device letters，Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics等高水平国际期刊上发表相关论文近十篇。
以上工作得到国家重点基础研究发展计划（973计划），中国高技术研究发展计划（863计划），国家自然科学基金的支持。
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