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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究 |
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| 作者: | 赵玲利，段小晋，尹明会，徐向宇，王守国 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 10 |
| 页: | 1615-1619 |
| 联系作者: | 赵玲利 |
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| 摘要: | 介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备，并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验。研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律，并得到了最大刻蚀速率为390nm/min。利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析，证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性。结果表明，该设备在常压下刻蚀硅，操作简单且不易对材料表面产生损伤。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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