| 论文题目: | 改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计 |
| 作者: | 朱旻，尹军舰，张海英 |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 8 |
| 页: | 1441-1444 |
| 联系作者: | 朱旻 |
| 摘要: | 介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计，其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管（HBT）工艺制作. 为了以简单方式改善增益平坦度，除了耦合旁路电容以及射频扼流圈外，在实际电路中没有加入额外部件. 其测量线性增益为23dB，大信号增益平坦度为±0.25dB，非常贴近仿真和目标值. 此两级功放400MHz带宽下的输出线性功率为31dBm，增益附加效率为44%. 本电路通过良好的失真补偿电路和扼流圈模型的使用，成功地改善了增益平坦度. |
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