| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170GHz and fmax=253GHz |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | JIN Zhi,SU Yong-Bo,CHENG Wei,LIU Xin-Yu,XU An-Hai,QI Ming |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics Letters |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 25 |
| 期: | 7 |
| 页: | 2686-2689 |
| 联系作者: | JIN Zhi |
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