| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 金智，程伟，刘新宇，徐安怀，齐鸣 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 10 |
| 页: | 1898-1901 |
| 联系作者: | 金智 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管（HBT) . 发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺，实现了亚微米的InP基HBT. 发射极宽度的减小有效提高了频率特性，发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz. 发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺，有效减小了结面积，提高了最大振荡频率. Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2. 据我们所知，电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的，Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的. 这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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