| 论文题目: | 8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计 |
| 作者: | 曾轩，陈晓娟，刘果果，袁婷婷，陈中子，张辉，王亮，李诚瞻，庞磊，刘新宇，刘键 |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 8 |
| 页: | 1445-1448 |
| 联系作者: | 曾轩 |
| 摘要: | 设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上，为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%. |
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