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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 |
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| 作者: | 葛霁，金智，刘新宇，程伟，王显泰，陈高鹏，吴德馨 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 11 |
| 页: | 2270-2274 |
| 联系作者: | 葛霁 |
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| 摘要: | 针对VBIC (vertical bipolar inter-company）模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题，考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系，建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程. 将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中，改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度，其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好. |
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| 外单位作者单位: | |
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