| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT栅退火工艺 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 黎明，张海英，徐静波，李潇，刘亮，付晓君 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 8 |
| 页: | 1487-1490 |
| 联系作者: | 黎明 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 针对InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件，进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验，通过实验研究比较，得到了更适用于增强型器件的退火工艺，利用Ti/Pt/Au结构，在320℃退火40min，使器件阈值电压正向移动大约200mV，从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件，保证了增强型器件阈值电压在零以上. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出