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论文题目: GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路
论文题目英文:
作者: 黎明,张海英,徐静波,付晓君
论文出处:
刊物名称: 《半导体学报》
: 2008
: 29
: 9
: 1823-1826
联系作者: 黎明
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摘要:
利用GaAs基 E/D PHEMT 技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC~10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成. 开关电路在DC~10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.
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