| 论文题目: | 8~20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关 |
| 作者: | 吴茹菲，尹军舰，刘会东，张海英 |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 10 |
| 页: | 1864-1867 |
| 联系作者: | 吴茹菲 |
| 摘要: | 基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺，设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关. 在8~20GHz频段内，开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB，输入和输出端的回波损耗大于10dB；开关关断状态的隔离度最大值为32dB. 开关的支路采用串联-并联-并联的结构，其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm. 在1.3V的偏置电压下，正向导通的串联二极管工作电流为7mA. |
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