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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性 |
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| 作者: | 魏珂，刘新宇，和致经，吴德馨 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 3 |
| 页: | 554-558 |
| 联系作者: | 魏珂 |
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| 摘要: | 研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT 器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析. 场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖特基反向击穿电压. 源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上，肖特基反向漏电由37μA减小到5.7μA ,减小了一个量级. 肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上. 另外，还初步讨论了高频特性. |
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| 外单位作者单位: | |
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