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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应 |
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| 作者: | 刘果果，黄俊，魏珂，刘新宇，和致经 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 12 |
| 页: | 2326-2330 |
| 联系作者: | 刘果果 |
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| 摘要: | 研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面，发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位，导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型，N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大，反向漏电增大，肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法，优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后，栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷，器件肖特基反向漏电减小三个量级，正向开启电压升高，理想因子从3.07降低到了2.08. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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