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| 论文题目: | CMOS射频集成电路ESD保护的挑战 |
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| 作者: | 王自惠，林琳，王昕，刘海南，周玉梅 |
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| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 4 |
| 页: | 628-636 |
| 联系作者: | 王自惠 |
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| 摘要: | 随着集成电路（IC）工艺进入深亚微米水平，以及射频（Radio-Frequency, RF) IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进，片上防静电泄放（ESD）保护设计越来越成为RF IC设计的挑战. 产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应 . 本文讨论了RF ESD保护的研究和设计领域的最新动态，总结了所出现的新挑战、新的设计方法和最新的RF ESD保护解决方案. |
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