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| 论文题目: | 国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究 |
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| 作者: | 刘刚，蔡小五，韩郑生，陆江，王立新，夏洋 |
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| 刊物名称: | 《核技术》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 31 |
| 期: | 8 |
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| 联系作者: | 刘刚 |
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| 摘要: | 分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的 VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置. |
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