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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | SOI LDMOSFET的背栅特性 |
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| 作者: | 毕津顺，宋李梅，海潮和，韩郑生 |
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| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 11 |
| 页: | 2148-2152 |
| 联系作者: | 毕津顺 |
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| 摘要: | 在绝缘体上硅衬底上，制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管. 详细研究了器件的背栅特性. 背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响. 相比于源体紧密接触结构，低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小，这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启. 还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型，其包含前栅沟道，背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻. |
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| 外单位作者单位: | |
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