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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘梦新，韩郑生，毕津顺，范雪梅，刘刚，杜寰，宋李梅 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 11 |
| 页: | 2158-2163 |
| 联系作者: | 刘梦新 |
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| 摘要: | 研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管，并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响. 其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征，而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征. 实验表明，在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照，不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化，并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能. |
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| 外单位作者单位: | |
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