| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器 |
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| 作者: | 刘梦新, 韩郑生, 李多力, 刘刚, 赵超荣, 赵发展 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 6 |
| 页: | 1036-1039 |
| 联系作者: | 刘梦新 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线-8线译码器电路，其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征. 实验表明，该译码器的抗总剂量能力达3E5rad(Si), nMOS管和pMOS管在最坏情况下前栅沟道阈值漂移分别小于 20和70mV，并且在辐照、退火以及后续追加辐照过程中无明显的泄漏电流增加，电路的功能并未退化. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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