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论文题目: Low-Cost and Highly Manufacturable Strained-SiChannel Technique for Strong Hole MobilityEnhancement on 35-nm Gate Length pMOSFETs
论文题目英文:
作者: Qiuxia Xu, SeniorMember,IEEE, Xiaofeng Duan, Haihua Liu, Zhengsheng Han, and Tianchun Ye
论文出处:
刊物名称: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
: 2007
: 54
: 6
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联系作者: Qiuxia Xu
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