论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目: In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with fmax of 183GHz
论文题目英文:
作者: Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Yang Hao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Zhang Jian,Niu Jiebin,Liu Xunchun
论文出处:
刊物名称: The Chinese Journal of Semiconductors
: 2007
: 28
: 12
: 1860-1863
联系作者: Liu Liang
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备注:
Fund Project:国家重点基础研究规划项目