论文编号: | |
第一作者所在部门: | |
论文题目: | In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with fmax of 183GHz |
论文题目英文: | |
作者: | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Yang Hao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Zhang Jian,Niu Jiebin,Liu Xunchun |
论文出处: | |
刊物名称: | The Chinese Journal of Semiconductors |
年: | 2007 |
卷: | 28 |
期: | 12 |
页: | 1860-1863 |
联系作者: | Liu Liang |
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备注: | Fund Project:国家重点基础研究规划项目 |
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