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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理 |
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| 作者: | 李诚瞻,庞磊,刘新宇,黄俊,刘键,郑英奎,和致经 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 11 |
| 页: | 1777-1781 |
| 联系作者: | 李诚瞻 |
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| 摘要: | 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究. 实验表明，凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上，击穿电压有一定程度的下降. 利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面，等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度，甚至出现部分尖峰状突起，增大了栅金属与AlGaN的接触面积；另一方面，等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位，相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层，使肖特基结的隧道效应加强，降低了肖特基势垒. 由此表明，AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：等离子体刻蚀 凹栅槽 栅电流 N空位 |
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