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| 论文题目: | 用于CMOS工艺的双功函数Ni全硅化物金属栅 |
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| 作者: | 周华杰,徐秋霞 |
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| 刊物名称: | 半导体学报 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 10 |
| 页: | 1532-1539 |
| 联系作者: | 周华杰 |
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| 摘要: | 研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术. 研究表明，通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数. 通过注入p型或n型杂质，如BF2, As或P，能够将Ni全硅化物金属栅的功函数调高或调低，以分别满足pMOS管和nMOS管的要求. 但是注入大剂量的As杂质会导致分层现象和EOT变大，因此As不适合用来调节Ni全硅化物金属栅的栅功函数. 由于FUSI工艺会导致全硅化金属栅电容EOT减小，全硅化金属栅电容的栅极泄漏电流大于多晶硅栅电容. |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：金属栅 全硅化 硅化物 |
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