| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 张庆钊,谢长青,刘明,李兵,朱效立 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 10 |
| 页: | 1611-1614 |
| 联系作者: | 张庆钊 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析. 实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备，借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定，得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系. 实验表明在射频功率增加的过程中，能量耦合系数处于一个相对稳定的常值；当等离子体处于局部加热状态时，绝大部分的电子处于附着状态，维持等离子体的电子数目相对减少. 等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加，分布状态会变得更加一致化. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：等离子体 鞘层理论 干法刻蚀 朗谬尔探针 |
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