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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 徐静波,张海英,尹军舰,刘亮,李潇,叶甜春,黎明 |
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| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 9 |
| 页: | 1424-1427 |
| 联系作者: | 徐静波 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构，有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压. 采用光学接触式光刻方式，实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT. 直流和高频测试结果显示：增强型（耗尽型）PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V), 330mS/mm(260mS/mm), 245mA/mm(255mA/mm), 14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz). 利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器，电源电压为1V，输入0.15V电压时，输出电压为0.98V；输入0.3V电压时，输出电压为0.18V. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：单片集成 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管 阈值电压 |
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