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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | GaN HEMT器件22元件小信号模型 |
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| 作者: | 刘丹,陈晓娟,刘新宇,吴德馨 |
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| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 9 |
| 页: | 1438-1442 |
| 联系作者: | 刘丹 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信号模型，通过增加与栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd并联的电导Ggsf和Ggdf来表征GaN HEMT栅漏电情况.结果表明22元件小信号模型拟合度提高，物理意义更为明确. 同时重点改进了寄生电容参数的提取方法，可有效地提取新型栅场板、源场板器件小信号参数. 由算法提取的参数值可准确反映GaN HEMT器件的物理特性. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：GaN HEMT 小信号 优化 模拟 |
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