| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 程伟,金智,于进勇,刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 6 |
| 页: | 943-946 |
| 联系作者: | 程伟 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 为了降低InP DHBT的B-C之间的导带势垒，抑制电流阻挡效应，采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构. 第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案，为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考. 基于文中所述的理论，对文献中的数据进行了分析，得到了令人满意的结果. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：InP/InGaAs HBT 复合式集电区 势垒尖峰 |
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