论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目: 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计
论文题目英文:
作者: 姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇
论文出处:
刊物名称: 《半导体学报》
: 2007
: 28
: 4
: 514-517
联系作者: 姚小江
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摘要:
研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路. 该电路包含410×120μmHEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器. 在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE32.54%,并且功率合成效率达到69%.   
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:
中文关键词:AlGaN/GaN HEMT  功率合成器  混合集成电路  微波功率放大器