| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | PDSOI nMOSFETs关态击穿特性 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 毕津顺,海潮和 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 1 |
| 页: | 14-18 |
| 联系作者: | 毕津顺 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件. 对这些器件的关态击穿特性进行了研究. 当背栅沟道注入剂量从1.0e13增加到1.3e13cm-2，浮体n型沟道器件关态击穿电压由5.2升高到6.7V，而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11.9降低到9V. 通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压，对部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：部分耗尽绝缘体上硅 击穿 背栅沟道注入 |
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