| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 提高SOI器件和电路性能的研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 海潮和,韩郑生,周小茵,赵立新,李多力,毕津顺 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2006 |
| 卷: | 27 |
| 期: | 13 |
| 页: | 322-327 |
| 联系作者: | 海潮和 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上，提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径. 体接触是防止浮体效应的最好方法；正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要；SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能； 源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益；而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用. 研究发现，采用综合加固技术的nMOS器件，抗总剂量的水平可达1E6rad(Si). |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：SOI 浮体效应 沟道 抗辐照 |
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