5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目:	5～22 GHz平坦高增益单片低噪声放大器
论文题目英文:
作者:	彭龙新; 李建平; 李拂晓; 杨乃彬;
论文出处:
刊物名称:	《固体电子学研究与进展》
年:	2006
卷:
期:	2
页:
联系作者:	彭龙新
收录类别:
影响因子:
摘要:	使用0.25μm G aA s PHEM T工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GH z两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GH z内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动ΔG≤±0.35 dB,噪声系数N F≤3.2 dB,输入输出驻波V SW R≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB。测试结果验证了设计的正确性。
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	关键词：宽带; 平坦高增益; 低噪声; 反馈放大器; 电流增益效率; 微波单片集成电路;