| 论文编号: | TN383;TP333.5 |
| 第一作者所在部门: | 纳米加工与新器件集成技术研究室(三室) |
| 论文题目: | 纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 郭婷婷;刘明;管伟华; 胡媛;李志刚;龙世兵;陈军宁 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微纳电子技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 46 |
| 期: | 2 |
| 页: | 6,70-74,90 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作，重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程。研究证明，金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性。并且金属纳米晶制备方法简单，通过电子柬蒸发热退火的方法就能够得到质量较好的金属纳米晶，密度约4×10^11cm^-2，纳米晶尺寸约6～7nm。实验证明，高介电常数隧穿介质能够明显改善浮栅存储器的电荷保持特性，所以在引入金属纳米晶和高介电常数遂穿介质之后，纳米晶浮栅存储器可能成为下一代非挥发性存储器的候选者。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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