| 论文编号: | TN305.7 |
| 第一作者所在部门: | 微电子设备技术研究室(八室) |
| 论文题目: | 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 张育胜 |
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| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 3 |
| 页: | 4，214-216,220 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用，现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施，但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法，采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法，取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明，在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上，刻蚀深度为39．2ttm，光刻胶剩余4．8btm，侧壁表面满足平滑陡直的要求。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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