| 论文编号: | TN304.21;TP333.8 |
| 第一作者所在部门: | 纳米加工与新器件集成技术研究室(三室) |
| 论文题目: | 基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 李颖弢;刘明;龙世兵;刘琦;张森;王艳;左青云;王琴;胡媛;刘肃 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微纳电子技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 46 |
| 期: | 3 |
| 页: | 7,134-140,153 |
| 联系作者: | |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 随着器件尺寸的缩小，阻变存储器（RRAM）具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧，直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性，研究了器件的阻变特性；详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制，即导电细丝（filament）、空间电荷限制电流效应（SCLC）、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应（Schottky emission）以及普尔-法兰克效应（Pool—Frenkel）；同时，对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 |
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| 外单位作者单位: | |
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