| 论文编号: | TN386 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件与集成技术研究室(一室) |
| 论文题目: | SOI动态阈值MOS器件结构改进 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 宋文斌;毕津顺;韩郑生 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微电子学 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 39 |
| 期: | 2 |
| 页: | 5，280-284 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性，这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之一。有人提出通过增大硅膜厚度的方法减小器件体电阻，但随之而来的寄生体电容的增大严重退化了器件特性。为了解决这个问题，提出了一种SOI DTMOS新结构，该器件可以分别优化结深和硅膜的厚度，从而获得较小的寄生电容和体电阻。同时，考虑到沟道宽度对体电阻的影响，将该结构进一步优化，形成侧向栅-体连接的器件结构。ISE—TCAD器件模拟结果表明，较之传统SOI DTMOS器件，该结构的本征延时和电路延时具有明显优势。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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