| 论文编号: | TN304 |
| 第一作者所在部门: | 纳米加工与新器件集成技术研究室(三室) |
| 论文题目: | 高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘璟;王琴;龙世兵;胡媛;杨仕谦;郭婷婷;刘明 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微电子学 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 39 |
| 期: | 3 |
| 页: | 6，414-419 |
| 联系作者: | |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 随着微电子技术节点不断向前推进，基于传统浮栅结构的非挥发性存储器（NVM）技术遇到严重的技术难点，其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限，很难继续减薄。作为改进措施，引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展；最后，对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。 |
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| 外单位作者单位: | |
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