| 论文编号: | TN386;O432.1 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件与集成技术研究室(一室) |
| 论文题目: | SOI器件的增强短沟道效应模型 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 卜建辉;刘梦; 胡爱斌;韩郑生 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 6 |
| 页: | 3，560-562 |
| 联系作者: | |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系，利用器件模拟软件ISETCAD，对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟。模拟结果表明，随着沟道长度的减小，背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大，并且漂移量和辐照偏置密切相关，称此效应为SOI器件的增强短沟道效应。以短沟道效应理论为基础对此效应的机理进行了解释，并以短沟道效应模型为基础对此效应提出了一个简洁的阈值电压漂移模型，通过对ISE模拟结果进行曲线拟合对所提出的模型进行了验证。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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