| 论文编号: | TN710 |
| 第一作者所在部门: | 微电子设备技术研究室(八室) |
| 论文题目: | 一种减少VDMOS寄生电容的新结构 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 郭丽莎;夏洋 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微电子学 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 32 |
| 期: | 20 |
| 页: | 3，200-202 |
| 联系作者: | |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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