| 论文编号: | TN405.98 |
| 第一作者所在部门: | 系统封装技术研究室(九室) |
| 论文题目: | 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 吕垚;李宝霞;万里兮 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微电子学 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 39 |
| 期: | 5 |
| 页: | 4，729-732 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数，对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善，使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求，解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明，Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体，对Si的刻蚀具有各向同性；C2H4作钝化气体，能够对刻蚀侧壁进行有效的保护，但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比，需对其含量及配比严格控制。研究结果为：SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀，且具有较大的选择比，初步满足深硅槽刻蚀的条件。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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