| 论文编号: | TN306;TN304.07 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件与集成技术研究室(一室) |
| 论文题目: | PDSOINMOS／CMOS闩锁特性 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 曾传滨;海潮和;李晶;李多力;韩郑生 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 功能材料与器件学报 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 15 |
| 期: | 5 |
| 页: | 6，429-434 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法，并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS／CMOS的闩锁效应维持电压，以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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