| 论文编号: | TN325.3 |
| 第一作者所在部门: | 微波器件与集成电路研究室(四室) |
| 论文题目: | Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构仿真研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王东方;刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 电子器件 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 32 |
| 期: | 5 |
| 页: | 5，859-863 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 为了研究适合Ka波段AlGaN/GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对fmax,栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15～0.25μm;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10～20nm;为了提高fmax,栅金属厚度应大于0.4μm;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3～0.4μm左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研究具有参考意义。[著者文摘] |
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| 外单位作者单位: | |
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