| 论文编号: | TN405 |
| 第一作者所在部门: | 集成电路先导工艺研发中心(十室) |
| 论文题目: | 先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 李永亮;徐秋霞 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 微电子学 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 39 |
| 期: | 6 |
| 页: | 6，829-834 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积一刻蚀一再淀积、双高K双金属栅的集成方案，也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应，通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂，可得到具有带边功函数的高K／双金属栅集成。多晶硅／金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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