| 论文编号: | TN325.3 |
| 第一作者所在部门: | 微波器件与集成电路研究室(四室) |
| 论文题目: | 共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王显泰;金智;程伟;苏永波;申华军 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 8 |
| 页: | 4，759-762 |
| 联系作者: | |
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| 摘要: | 制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率（PAE）在10GHz下为1.24W/mm和50%,在18GHz下的数据为0.82W/mm和26%。测试同时表明,共发射极结构相对稳定和易于匹配,共基极模式具有更大的输出功率潜力,但需要进一步解决难于匹配、容易振荡和寄生参量影响等问题。在功放电路设计中,可以根据不同需求选择合适的电路拓扑结构。[著者文摘] |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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