| 论文编号: | 172511O120100077 |
| 第一作者所在部门: | 八室一组 |
| 论文题目: | InP/Si键合技术研究进展 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘邦武 |
| 论文出处: | 其他国内刊物 |
| 刊物名称: | 电子工艺技术 |
| 年: | 2010 |
| 卷: | 31 |
| 期: | 1 |
| 页: | 12-15 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.392 |
| 摘要: | InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一, 而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度, 降低成本, 具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年来InP 在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展, 并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析。降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势。比较几种键合技术, 利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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