| 论文编号: | 172511O120100122 |
| 第一作者所在部门: | 一室一组 |
| 论文题目: | RF LDMOS功率器件研制 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 陈蕾 |
| 论文出处: | EI收录 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2010 |
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| 影响因子: | 0.284 |
| 摘要: | 基于ISE TCAD 模拟软件对RF LDMOS 器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计，采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻，同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析，重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、戒指频率和最大震荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8V，击穿电压可达70V，截止频率和最大震荡频率分别为9GHz和12.6GHz，并可提供0.7W/mm的输入功率密度。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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