论文编号: 172511O120100145
第一作者所在部门: 一室一组
论文题目: 深亚微米部分耗尽绝缘体上硅N型MOS晶体管中的短沟道效应
论文题目英文:
作者: 韩郑生
论文出处: EI收录
刊物名称: 半导体学报
: 2010
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收录类别:
影响因子: 0.2912
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