一种应用于深亚微米部分耗尽绝缘体上硅的依赖偏压的体电阻模型--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120100149
第一作者所在部门:	一室一组
论文题目:	一种应用于深亚微米部分耗尽绝缘体上硅的依赖偏压的体电阻模型
论文题目英文:
作者:	韩郑生
论文出处:	EI收录
刊物名称:	International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
年:	2010
卷:
期:
页:
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收录类别:
影响因子:	0.284
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