高k栅介质/SiO2界面偶极子对MOS器件平带电压的影响--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120100176
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	高k栅介质/SiO2界面偶极子对MOS器件平带电压的影响
论文题目英文:
作者:	王文武
论文出处:	SCI收录
刊物名称:	Applyied Physics
年:	2010
卷:
期:
页:
联系作者:
收录类别:
影响因子:	3.554
摘要:	Electrical characteristics of HfO2 /SiO2 interface
英文摘要:
外单位作者单位:
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