A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120100236
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE
论文题目英文:
作者:	罗卫军
论文出处:
刊物名称:	Solid-State Electronics
年:	2010
卷:
期:
页:
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收录类别:
影响因子:	1.7
摘要:
英文摘要:
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