Post-process thermal treatment for microwave power improvement of AlGaN/GaN HEMTs--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120100235
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	Post-process thermal treatment for microwave power improvement of AlGaN/GaN HEMTs
论文题目英文:
作者:	彭铭曾
论文出处:	SCI收录
刊物名称:	Microelectronic Engineering
年:	2010
卷:
期:
页:
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收录类别:
影响因子:	1.5
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