应力作用下RU2Si3电子结构和光学性质的第一性原理研究--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120100246
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	应力作用下RU2Si3电子结构和光学性质的第一性原理研究
论文题目英文:
作者:	崔冬萌
论文出处:	其他国内刊物
刊物名称:
年:	2010
卷:
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收录类别:
影响因子:	0
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