| 论文编号: | 172511O120100244 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | Thermal Storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 赵妙 |
| 论文出处: | 其他国外刊物 |
| 刊物名称: | IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY |
| 年: | 2010 |
| 卷: | |
| 期: | |
| 页: | |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出